光デバイスウエーハの加工方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：小野尚純 , 奥貫佐知子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009289156
Publication number (International publication number)：2011129820
Application date： Dec. 21, 2009
Publication date： Jun. 30, 2011
Summary：

【課題】湾曲することなく所定の厚みに形成することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】基板の表面に光デバイス層が積層され複数の光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、所定の厚みに形成する光デバイスウエーハの加工方法であって、光デバイスウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、保護部材が貼着された光デバイスウエーハの保護部材側をチャックテーブル上に保持し、光デバイスウエーハの基板の裏面を研削して所定の厚みに形成する研削工程と、研削工程が実施された光デバイスウエーハの基板の裏面を研磨する研磨工程とを含み、研磨工程は研削工程において光デバイスウエーハの基板の裏面に生成された研削歪を僅かに残存させて基板の裏面を平坦になるように仕上げる。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

基板の表面に光デバイス層が積層され複数の光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、所定の厚みに形成する光デバイスウエーハの加工方法であって、光デバイスウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、該保護部材が貼着された光デバイスウエーハの保護部材側をチャックテーブル上に保持し、光デバイスウエーハの基板の裏面を研削して所定の厚みに形成する研削工程と、該研削工程が実施された光デバイスウエーハの基板の裏面を研磨する研磨工程と、を含み、該研磨工程は、該研削工程において光デバイスウエーハの基板の裏面に生成された研削歪を僅かに残存させて基板の裏面を平坦になるように仕上げる、ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。

IPC (1)：

H01L 21/304

FI (2)：

H01L21/304 631 , H01L21/304 621B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化物半導体基板の製造方法と窒化物半導体基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-370430 Applicant：住友電気工業株式会社
特許第4305574号
特許第4305574号

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