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J-GLOBAL ID：201103013867637514

酸化物超電導体の製造方法

Inventor： 田中 昭二 ,  内野倉 國光 ,  前田 京剛
Applicant, Patent owner： 田中 昭二 ,  株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：1987188636
Publication number (International publication number)：1989033048
Patent number：2593480
Application date： Jul. 28, 1987
Publication date： Feb. 02, 1989
Claim (excerpt)：

【請求項1】La、BaおよびCuを、La:Ba:Cu=3-x:3+x:6(原子比)(0.4<x<1.2)の割合で含有する出発原料の混合物を、融点より低い温度で反応させる焼成工程と、前記焼成工程で得られた焼成物を380°C以下の酸素含有雰囲気中で熱処理する工程とを有し、前記La、BaおよびCuを実質的に1:2:3(原子比)の割合で含む斜方晶系酸素欠陥ペロブスカイト型構造を含む酸化物超電導体を製造することを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。

IPC (5)：

C04B 35/45 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01L 39/12 ZAA

FI (5)：

C04B 35/00 ZAA K ,  C01G 1/00 S ,  C01G 3/00 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01L 39/12 ZAA C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭64-072920
  
• 特開昭62-149559
  
• 特開昭64-009849
  
• 特開昭61-247572
  
• 特開昭64-014148