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J-GLOBAL ID：201103014324711869

半導体集積回路装置

Inventor： 大嶋 誠一
Applicant, Patent owner： ルネサスエレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009142605
Publication number (International publication number)：2010287860
Application date： Jun. 15, 2009
Publication date： Dec. 24, 2010
Summary：

【課題】半導体集積回路装置において、実動作に用いられる信号遅延パスにおける経年劣化の検出を可能とすること。【解決手段】半導体集積回路装置は、複数の信号遅延パスと、当該複数の信号遅延パスの間の遅延量の大小関係を計測してメモリに格納するとともに、当該複数の信号遅延パスについて計測された遅延量の大小関係と当該メモリに格納された遅延量の大小関係とが一致するか否かを判定し、両者が一致しない場合には、当該複数の信号遅延パスのいずれかにおいて遅延故障が生じた旨を出力する遅延故障検出回路と、を有している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

複数の信号遅延パスと、 前記複数の信号遅延パスの間の遅延量の大小関係を計測してメモリに格納するとともに、前記複数の信号遅延パスについて計測された遅延量の大小関係と該メモリに格納された遅延量の大小関係とが一致するか否かを判定し、両者が一致しない場合には、前記複数の信号遅延パスのいずれかにおいて遅延故障が生じた旨を出力する遅延故障検出回路と、を備えている半導体集積回路装置。

IPC (3)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  G01R 31/28

FI (2)：

H01L27/04 T ,  G01R31/28 V

F-Term (17)：

2G132AA00 ,  2G132AB04 ,  2G132AD07 ,  2G132AK07 ,  2G132AL11 ,  5F038BH20 ,  5F038CD09 ,  5F038DF01 ,  5F038DF03 ,  5F038DF05 ,  5F038DF12 ,  5F038DT03 ,  5F038DT08 ,  5F038DT12 ,  5F038DT17 ,  5F038DT19 ,  5F038EZ20