パターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010227196
Publication number (International publication number)：2011170316
Application date： Oct. 07, 2010
Publication date： Sep. 01, 2011
Summary：

【解決手段】酸不安定基で置換又は非置換のナフトール基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶媒とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。【効果】上記繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤とを含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像のポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する。このフォトレジスト膜、格子状パターンのマスクを用いて露光、現像することで微細なホールパターンを寸法制御よく形成でき、更にアミノ基又はアミン塩を有する保護膜を適用することでホールパターンの開口不良を防ぎ、寸法均一性を向上できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

酸不安定基で置換又は非置換のナフトール基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶媒とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6)：

G03F 7/039 , G03F 7/038 , H01L 21/027 , C08F 220/28 , C08F 212/32 , C08F 232/08

FI (7)：

G03F7/039 601 , G03F7/038 601 , H01L21/30 502R , H01L21/30 569E , C08F220/28 , C08F212/32 , C08F232/08

F-Term (71)：

2H125AF17P , 2H125AF29P , 2H125AF34P , 2H125AF36P , 2H125AF38P , 2H125AF42P , 2H125AH05 , 2H125AH11 , 2H125AH12 , 2H125AH15 , 2H125AH16 , 2H125AH17 , 2H125AH19 , 2H125AH20 , 2H125AH22 , 2H125AH23 , 2H125AH24 , 2H125AH25 , 2H125AJ02Y , 2H125AJ12X , 2H125AJ14X , 2H125AJ14Y , 2H125AJ24Y , 2H125AJ42Y , 2H125AJ52X , 2H125AJ64X , 2H125AJ64Y , 2H125AJ65X , 2H125AJ65Y , 2H125AJ68X , 2H125AJ69X , 2H125AJ84Y , 2H125AN11N , 2H125AN31N , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN51P , 2H125AN63N , 2H125AN88P , 2H125BA01N , 2H125BA01P , 2H125BA26P , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC01 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H125DA01 , 2H125DA03 , 2H125FA01 , 2H125FA03 , 2H125FA05 , 2H125FA23 , 4J100AB13P , 4J100AL16P , 4J100AL16Q , 4J100AL16R , 4J100AR09P , 4J100BA03P , 4J100BA20Q , 4J100BC09R , 4J100BC37R , 4J100BC49P , 4J100BC59Q , 4J100CA05 , 4J100DA04 , 4J100DA39 , 4J100FA03 , 4J100JA38 , 5F046LA12 , 5F146LA12

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