Pat
J-GLOBAL ID：201103015825556312
原子スケール規模の装置の製造
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
相田 伸二
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2010545327
Publication number (International publication number)：2011512652
Application date： Dec. 09, 2008
Publication date： Apr. 21, 2011
Summary：
本発明は、ナノから原子スケール規模の装置の製造に関する。この装置は、原子精度以上で製造された電気装置である。製造工程は、SEM又はSTMチップを使用して、半導体基板の上に領域をパターニングする。そして、これらの領域に装置の電気的にアクティブな部分を形成する。該形成された装置をカプセル化する。SEM又は光学顕微鏡を用いて、該カプセル化された装置の表面上で導線性の素子の位置を、該表面下のカプセル化された装置のアクティブな部分に対してそれぞれ整列させる。該表面上の整列された位置に、導電性の素子を形成する。そして、該表面上の導線性の素子と該表面下のカプセル化された装置の整列させられた部分とを電気的に接続して、装置の電気的な接続及び調整性を計る。また、他の観点に置いては、本発明は、装置そのものに関する。
Claim (excerpt)：
原子スケール規模の複数の端子を持った電気装置を製造する方法であって、
原子精度での操作が可能な走査型トンネル顕微鏡(STM)のチップ又はマイクロ-ナノ精度での操作が可能な走査型電子顕微鏡(SEM)を使用して半導体の表面上に、一つ以上のマスクの領域を開けるステップ、
該領域を処理して、前記半導体の表面上に、前記装置の同一平面上の要素を形成するステップ、
前記装置の要素を更なる半導体によりカプセル化するステップ、
前記カプセル化された装置の表面上で、該表面の下にカプセル化された前記装置の、選択された要素の位置を確認するために、光学又は電子顕微鏡を使用するステップ、
前記確認された位置において前記カプセル化された装置の表面上に導電性の素子を形成するステップ、及び、
前記カプセル化された装置の前記表面上の導電性の素子と、前記表面下のカプセル化された装置の整列させられた要素との間で電気的な接続を行うステップ、
から構成されることを特徴とする方法。
IPC (7)：
H01L 29/66
, B82B 3/00
, H01L 21/28
, H01L 21/320
, H01L 23/52
, H01L 29/78
, H01L 29/06
H01L29/66 S
, B82B3/00
, H01L21/28 301A
, H01L21/88 P
, H01L29/78 301J
, H01L21/28 L
, H01L29/06 601D
4M104AA01
, 4M104BB01
, 4M104BB40
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD34
, 4M104DD78
, 4M104GG09
, 4M104GG14
, 4M104GG19
, 5F033HH04
, 5F033KK01
, 5F033LL04
, 5F033QQ58
, 5F033QQ73
, 5F033VV06
, 5F033VV09
, 5F033WW01
, 5F033XX03
, 5F033XX09
, 5F140AA39
, 5F140AC14
, 5F140AC20
, 5F140BA01
, 5F140BA20
, 5F140BB03
, 5F140BB06
, 5F140BB19
, 5F140BC05
, 5F140BC12
, 5F140BC17
, 5F140BC19
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BF05
, 5F140BK17
