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J-GLOBAL ID：201103017189327629

有機半導体薄膜作製材料、有機半導体薄膜構造体および有機半導体薄膜の作製方法

Inventor： 中村 貴義 ,  芥川 智行
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構
Agent (1)： 佐川 慎悟
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2003276375
Publication number (International publication number)：2005035952
Patent number：4421232
Application date： Jul. 18, 2003
Publication date： Feb. 10, 2005
Claim (excerpt)：

【請求項1】 下記の一般式(I)で表される化合物とテトラシアノキノジメタン誘導体との電荷移動錯体を有効成分とする有機半導体薄膜作製材料。 〔式(I)において、R1は炭素数8〜20のアルキル鎖であり、nは0または1である。〕

IPC (3)：

H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  C07D 519/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/368 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 29/28 ,  C07D 519/00 ,  H01L 21/368 L