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J-GLOBAL ID：201103018201636108

多層基板の製造方法

Inventor： 松尾 耕三 ,  松尾 義 ,  高見 早千 ,  中野 常朝 ,  石川 誠治
Applicant, Patent owner： 東海電子工業株式会社 ,  有限会社エン・プラド
Agent (1)： 特許業務法人大貫小竹国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009142908
Publication number (International publication number)：2011003567
Application date： Jun. 16, 2009
Publication date： Jan. 06, 2011
Summary：

【課題】 本願発明は、絶縁層の表面を多孔状態にしてメッキとの密着性を向上させる多層基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本願発明に係る多層基板の製造方法は、基板上に絶縁層を配するとともに、その上に導電体層をめっき処理にて形成する多層基板の製造方法において、前記絶縁層を形成するために前記基板上に付与される絶縁材料に多孔形成剤を含有させるとともに、該絶縁層材料を加熱して絶縁層を形成する時に前記多孔形成剤により絶縁層の表面を多孔状態にして表面を粗面化し、その後絶縁層上に導電体層をめっき処理にて形成することにある。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

基板上に絶縁層を配するとともに、その上に導電体層をめっき処理にて形成する多層基板の製造方法において、 前記絶縁層を形成するために前記基板上に付与される絶縁材料に多孔形成剤を含有させるとともに、該絶縁層材料を加熱して絶縁層を形成する時に前記多孔形成剤により絶縁層の表面を多孔状態にして表面を粗面化し、その後絶縁層上に導電体層をめっき処理にて形成することを特徴とする多層基板の製造方法。

IPC (2)：

H05K 3/18 ,  H05K 3/46

FI (3)：

H05K3/18 K ,  H05K3/46 T ,  H05K3/46 B

F-Term (23)：

5E343AA07 ,  5E343AA18 ,  5E343AA36 ,  5E343AA37 ,  5E343BB24 ,  5E343DD32 ,  5E343EE32 ,  5E343GG02 ,  5E343GG11 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346CC10 ,  5E346CC32 ,  5E346CC55 ,  5E346CC57 ,  5E346DD22 ,  5E346DD33 ,  5E346FF07 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346GG28 ,  5E346HH32 ,  5E346HH40