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J-GLOBAL ID：201103018933907295

窒化物半導体の製造装置および窒化物半導体の製造方法

Inventor： 守谷 美彦
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (3)： 油井 透 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009138106
Publication number (International publication number)：2010285298
Application date： Jun. 09, 2009
Publication date： Dec. 24, 2010
Summary：

【課題】ハイドライド気相成長において、III族塩化物ガスの供給を迅速にON/OFF制御可能な窒化物半導体の製造装置および窒化物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】III族原料とHClガスが反応して生成されるIII族塩化物ガスを導入するIII族塩化物ガス導入管7,33に、真空を利用して弁体22が作動し、基板へのIII族塩化物ガスの供給のON/OFFが切り替わる石英製の弁20が設けられる。真空管路26が真空に引かれていないときには、弁体22は自重で下降し、反応室3へのGaClガスの供給が遮断される(a)。一方、真空管路26が真空に引かれたときには、弁体22は真空管路26に接続された管32側に吸引されて上昇し、管31と管33とが連通接続されて、GaClガス導入管7側から管33を通って反応室3へとGaClガスの供給が行われるようになる(b)。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

ハイドライド気相成長を用いて窒化物半導体を基板上に成長させる窒化物半導体の製造装置において、 III族原料とHClガスが反応して生成されるIII族塩化物ガスを導入するIII族塩化物 ガス導入管に、真空を利用して弁体が作動し、前記基板へのIII族塩化物ガスの供給のO N・OFFが切り替わる石英製の弁が設けられていることを特徴とする窒化物半導体の製造装置。

IPC (4)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/14 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/205

FI (4)：

C30B29/38 D ,  C30B25/14 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205

F-Term (31)：

4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB11 ,  4G077EG21 ,  4G077EG25 ,  4G077TB04 ,  4G077TH06 ,  4K030AA03 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030EA01 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030KA46 ,  4K030LA14 ,  5F045AA01 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045DP09 ,  5F045EE02 ,  5F045EE12 ,  5F045EE19