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J-GLOBAL ID：201103021979072318

光非相反素子製造方法

Inventor： 横井 秀樹
Applicant, Patent owner： 学校法人 芝浦工業大学
Agent (5)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史 ,  江口 昭彦 ,  内藤 和彦 ,  土屋 徹雄
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2008053214
Publication number (International publication number)：WO2009107194
Application date： Feb. 25, 2008
Publication date： Sep. 03, 2009
Summary：

リブ導波路を形成したSi層と、磁気光学材料層とを貼り合わせて光非相反素子を作成する場合に、クラックの発生を回避しつつ、Si層と磁気光学材料層との十分な接着を確保することができる新たな技術を提供する。 第1の基板であるSOI基板のSi層に導波路を形成する工程と、前記導波路の上に第1の薄膜バッファ層を形成する工程と、第2の基板に成膜した磁気光学材料層の上に前記第1の薄膜バッファ層と同じ材料を用いて第2の薄膜バッファ層を形成する工程と、前記第1の薄膜バッファ層と、前記第2の薄膜バッファ層とを、前記磁気光学材料層によって前記導波路を伝播する光に非相反な位相変化を生じさせることができる配置で、接合する工程と、を備える。

Claim (excerpt)：

第1の基板であるSOI基板のSi層に導波路を形成する工程と、 前記導波路の上に第1の薄膜バッファ層を形成する工程と、 第2の基板に成膜した磁気光学材料層の上に前記第1の薄膜バッファ層と同じ材料を用いて第2の薄膜バッファ層を形成する工程と、 前記第1の薄膜バッファ層と、前記第2の薄膜バッファ層とを、前記磁気光学材料層によって前記導波路を伝播する光に非相反な位相変化を生じさせることができる配置で、接合する工程と、を備えることを特徴とする光非相反素子製造方法。

IPC (1)：

G02B 27/28

FI (1)：

G02B27/28 A

F-Term (12)：

2H199AA02 ,  2H199AA03 ,  2H199AA05 ,  2H199AA13 ,  2H199AA44 ,  2H199AA47 ,  2H199AA48 ,  2H199AA53 ,  2H199AA72 ,  2H199AA75 ,  2H199AA90 ,  2H199AA96