Pat

J-GLOBAL ID：201103022044157745

コンタクタ、半導体装置の試験装置、及び半導体装置の製造方法

Inventor： 丸山 茂幸 ,  関沢 義広 ,  鈴鹿 智弘
Applicant, Patent owner： 富士通セミコンダクター株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010041700
Publication number (International publication number)：2011179842
Application date： Feb. 26, 2010
Publication date： Sep. 15, 2011
Summary：

【課題】コンタクタ、半導体装置の試験装置、及び半導体装置の製造方法において、試験の信頼性を高めること。【解決手段】第1の材料を含むコンタクタ母材1と、コンタクタ母材1の先端部1aのうち、半導体装置30の電極31との接触面1bにのみ選択的に形成された、第2の材料を含む導体膜10aとを有するコンタクタ9による。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

第1の材料を含むコンタクタ母材と、 前記コンタクタ母材の先端部のうち、半導体装置の電極との接触面にのみ選択的に形成された、第2の材料を含む導体膜と、 を有することを特徴とするコンタクタ。

IPC (5)：

G01R 1/067 ,  G01R 1/073 ,  G01R 31/28 ,  G01R 31/26 ,  H01L 21/66

FI (5)：

G01R1/067 A ,  G01R1/073 E ,  G01R31/28 K ,  G01R31/26 J ,  H01L21/66 B

F-Term (21)：

2G003AB06 ,  2G003AG03 ,  2G003AG04 ,  2G003AG08 ,  2G003AG12 ,  2G011AA03 ,  2G011AA15 ,  2G011AB01 ,  2G011AC13 ,  2G011AC14 ,  2G011AE03 ,  2G132AA00 ,  2G132AF00 ,  2G132AF02 ,  2G132AL03 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA01 ,  4M106DD03 ,  4M106DD11 ,  4M106DD18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• プローブピン,プローブカード及びプローブ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-352566   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 国立大学法人東京大学
• プローブ針、プローブカード、及びプローブカードの作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-324031   Applicant：山口日本電気株式会社