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J-GLOBAL ID：201103022079850222

MOCVD装置

Inventor： 堀尾 直史
Applicant, Patent owner： スタンレー電気株式会社
Agent (1)： 特許業務法人藤村合同特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010066445
Publication number (International publication number)：2011199154
Application date： Mar. 23, 2010
Publication date： Oct. 06, 2011
Summary：

【目的】 シングルドメインの高品質且つ平坦な結晶層を成長できるフローチャネル方式のMOCVD装置を提供する。【解決手段】 基板と平行に基板側から不活性ガスを噴出する第1のチャネル、材料ガスを噴出する第2のチャネル及び不活性ガスを噴出する第3のチャネルがこの順で層状に構成されたノズルを備え、第2のチャネルには、酸素含有化合物を噴出する第1のサブチャネル及び有機金属化合物を噴出する第2のサブチャネルが基板と平行方向に交互に並んで配置され、ノズルから噴出されたガスは、少なくとも基板端まで当該ノズル端から延長された天板および底板で構成されたフローチャネルで誘導される。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

酸素を含まない有機金属化合物と酸素含有化合物を用いたMOCVD法により、基板上に結晶層を成長する結晶成長装置であって、 基板と平行に基板側から不活性ガスを噴出する第1のチャネル、材料ガスを噴出する第2のチャネル及び不活性ガスを噴出する第3のチャネルがこの順で層状に構成されたノズルを備え、 前記第2のチャネルには、前記酸素含有化合物を噴出する第1のサブチャネル及び前記有機金属化合物を噴出する第2のサブチャネルが前記基板と平行方向に交互に並んで配置され、 前記ノズルから噴出されたガスは、少なくとも前記基板端まで前記ノズル端から延長された天板および底板で構成されたフローチャネルで誘導されることを特徴とする結晶成長装置。

IPC (3)：

H01L 21/365 ,  C23C 16/455 ,  C30B 25/14

FI (3)：

H01L21/365 ,  C23C16/455 ,  C30B25/14

F-Term (55)：

4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077DB08 ,  4G077EC01 ,  4G077EG23 ,  4G077EG24 ,  4G077HA02 ,  4G077HA04 ,  4G077HA06 ,  4G077HA11 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA11 ,  4G077TB05 ,  4G077TC01 ,  4G077TG03 ,  4G077TH07 ,  4G077TH11 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030AA24 ,  4K030BA47 ,  4K030BB02 ,  4K030CA01 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030JA05 ,  4K030KA12 ,  4K030LA13 ,  4K030LA18 ,  5F045AA04 ,  5F045AB22 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AE25 ,  5F045AF06 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DP04 ,  5F045DP28 ,  5F045EE12 ,  5F045EE20 ,  5F045EF02 ,  5F045EF14 ,  5F045EK07