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J-GLOBAL ID：201103022981753434

マグネシウム-ケイ素複合材料及びその製造方法、並びに該複合材料を用いた熱電変換材料、熱電変換素子、及び熱電変換モジュール

Inventor： 飯田 努 ,  本多 康彦 ,  福島 直樹 ,  坂本 達也 ,  水戸 洋彦 ,  難波 宏邦 ,  田口 豊
Applicant, Patent owner： 学校法人東京理科大学 ,  昭和KDE株式会社 ,  ユニオンマテリアル株式会社
Agent (1)： 正林 真之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010149506
Publication number (International publication number)：2011029632
Application date： Jun. 30, 2010
Publication date： Feb. 10, 2011
Summary：

【課題】優れた熱電変換性能を有するマグネシウム-ケイ素複合材料を提供する。【解決手段】実質的にドーパントを含まない場合、マグネシウム-ケイ素複合材料は、Mgの含有量が原子量比で66.17〜66.77at%であり、Siの含有量が原子量比で33.23〜33.83at%である組成原料を、開口部とこの開口部を覆う蓋部とを有し、上記開口部の辺縁における上記蓋部への接触面と、上記蓋部における上記開口部への接触面とが共に研磨処理された耐熱容器中で加熱溶融する工程を有する製造方法により製造される。一方、ドーパントを含む場合、マグネシウム-ケイ素複合材料は、Mgの含有量とSiの含有量との比が原子量比で66.17:33.83〜66.77:33.23であり、ドーパントの含有量が原子量比で0.10〜2.0at%である組成原料により製造される。【選択図】図10

Claim (excerpt)：

866Kにおける無次元性能指数が0.665以上であり、実質的にドーパントを含まないマグネシウム-ケイ素複合材料。

IPC (6)：

H01L 35/14 ,  H01L 35/34 ,  C22C 23/00 ,  F27B 14/04 ,  C01B 33/06 ,  C01B 3/00

FI (6)：

H01L35/14 ,  H01L35/34 ,  C22C23/00 ,  F27B14/04 ,  C01B33/06 ,  C01B3/00 B

F-Term (20)：

4G072AA06 ,  4G072AA20 ,  4G072HH01 ,  4G072HH02 ,  4G072JJ09 ,  4G072MM01 ,  4G072MM38 ,  4G072TT30 ,  4G072UU30 ,  4G140AA46 ,  4K046BA05 ,  4K046CA06 ,  4K046CB05 ,  4K046CC01 ,  4K046CC03 ,  5H050BA16 ,  5H050CB11 ,  5H050GA02 ,  5H050HA02 ,  5H050HA13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 熱電変換モジュール及びそれを用いた発電装置及び冷却装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-023182   Applicant：京セラ株式会社
• 熱電材料及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-311740   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Thermoelectric Properties of Sb-Doped Sintered Mg2Si Fabricated Using Commercial Polycrystalline Sou
• Thermoelectric Figure of Merit of Impurity Doped And Hot-pressed Magnesium Silicide Elements