Pat
J-GLOBAL ID:201103023264882439
半導体装置及びその作製方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2010268321
Publication number (International publication number):2011139051
Application date: Dec. 01, 2010
Publication date: Jul. 14, 2011
Summary:
【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】酸化物半導体膜中の水分または水素などの不純物を低減するために、酸化物半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜が露出した状態で第1の加熱処理を行う。次いで、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び、酸化物半導体膜が露出した状態で第2の加熱処理を行う。【選択図】図1
Claim (excerpt):
酸化物半導体膜に第1の加熱処理を施し、
前記第1の加熱処理が施された酸化物半導体膜に酸素を添加し、
前記酸素が添加された前記酸化物半導体膜に第2の加熱処理を施す半導体装置の作製方法。
IPC (5):
H01L 21/336
, H01L 29/786
, H01L 21/20
, G02F 1/136
, H01L 51/50
FI (8):
H01L29/78 627F
, H01L29/78 627Z
, H01L29/78 619A
, H01L29/78 626A
, H01L21/20
, G02F1/1368
, H05B33/14 A
, H01L29/78 618B
F-Term (145):
2H092GA29
, 2H092GA50
, 2H092GA60
, 2H092JA26
, 2H092JA33
, 2H092JA39
, 2H092JA46
, 2H092JB57
, 2H092JB58
, 2H092JB63
, 2H092KA08
, 2H092KA12
, 2H092KA16
, 2H092MA05
, 2H092MA08
, 2H092MA19
, 2H092MA27
, 2H092MA29
, 2H092NA22
, 2H092QA07
, 2H092QA11
, 2H092QA15
, 3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC14
, 3K107CC21
, 3K107CC33
, 3K107CC45
, 3K107EE04
, 5F110AA05
, 5F110AA06
, 5F110AA08
, 5F110AA13
, 5F110AA14
, 5F110BB02
, 5F110CC07
, 5F110CC09
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD04
, 5F110DD07
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE14
, 5F110EE15
, 5F110EE22
, 5F110EE23
, 5F110EE30
, 5F110EE38
, 5F110EE42
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF01
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, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110FF35
, 5F110GG01
, 5F110GG22
, 5F110GG28
, 5F110GG35
, 5F110GG43
, 5F110GG57
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, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK21
, 5F110HK22
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110HK42
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, 5F110NN04
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, 5F110PP02
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, 5F152CE36
, 5F152CE37
, 5F152CE43
, 5F152CE45
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, 5F152CG13
, 5F152EE13
, 5F152EE16
, 5F152FF11
, 5F152FF14
, 5F152FF15
, 5F152FF16
, 5F152FF17
, 5F152FF21
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