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J-GLOBAL ID：201103024064989383

薄膜トランジスタ製造装置、酸化物半導体薄膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ及び発光デバイス

Inventor： 高田 真宏 ,  鈴木 真之 ,  望月 文彦 ,  田中 淳
Applicant, Patent owner： 富士フイルム株式会社
Agent (4)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009146457
Publication number (International publication number)：2011003775
Application date： Jun. 19, 2009
Publication date： Jan. 06, 2011
Summary：

【課題】酸化物半導体薄膜の酸素量を精度良く制御する。【解決手段】大気と遮断された酸化物半導体薄膜形成室20内で、基板36上に、酸化物半導体の薄膜、すなわち活性層106を形成する薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程の中で前記薄膜を加熱する加熱工程と、前記酸化物半導体薄膜形成室20と接続され、前記大気と遮断された輸送室14内で、前記基板36上に形成した薄膜を、前記加熱工程により加熱された温度から急速冷却する冷却工程と、を有する。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

基板上に酸化物半導体薄膜を形成する真空薄膜形成室と、 前記真空薄膜形成室で前記酸化物半導体薄膜を形成中に又は形成した後に、前記酸化物半導体薄膜を加熱する加熱手段と、 前記真空薄膜形成室と同一の、又は前記真空薄膜形成室と接続され、前記大気と遮断された真空処理室内に設けられ、前記加熱手段により加熱された前記酸化物半導体薄膜を急速冷却する冷却手段と、 を有する薄膜トランジスタ製造装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/363 ,  C23C 14/58

FI (4)：

H01L29/78 618A ,  H01L21/363 ,  H01L29/78 618B ,  C23C14/58 A

F-Term (83)：

4K029AA04 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BD00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC16 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029GA00 ,  4K029GA01 ,  4K029HA01 ,  5F045AA03 ,  5F045AA18 ,  5F045AA19 ,  5F045AB40 ,  5F045CA09 ,  5F045CA15 ,  5F045HA16 ,  5F045HA22 ,  5F045HA24 ,  5F103AA01 ,  5F103AA02 ,  5F103AA08 ,  5F103AA10 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103HH04 ,  5F103LL01 ,  5F103LL13 ,  5F103NN01 ,  5F103NN05 ,  5F103PP03 ,  5F103PP18 ,  5F103RR04 ,  5F103RR05 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD06 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 半導体装置及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-200670   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-266012   Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道
• アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-226698   Applicant：キヤノン株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-258264   Applicant：キヤノン株式会社
• 酸化物トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-130149   Applicant：株式会社ブリヂストン
• 被制御素子を制御するためのアクティブマトリクスバックプレーンとその製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-535396   Applicant：アドヴァンテック・グローバル・リミテッド
• 有機EL表示装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-119003   Applicant：富士フイルム株式会社