3端子型電子デバイス及び2端子型電子デバイス

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山本孝久 , 吉井正明 , 森幸一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009209842
Publication number (International publication number)：2011061046
Application date： Sep. 10, 2009
Publication date： Mar. 24, 2011
Summary：

【課題】特性バラツキの少ない3端子型電子デバイスを提供する。【解決手段】3端子型電子デバイスは、(A)制御電極14、(B)第1電極及び第2電極16、並びに、(C)第1電極と第2電極の間であって、絶縁層15を介して制御電極14と対向して設けられた能動層20を備えており、能動層20はナノシート21の集合体から成り、ナノシートの平均サイズをLS、第1電極と第2電極の間隔をDとしたとき、LS/D≧10を満足する。あるいは又、第1電極及び第2電極の長さをLEとしたとき、D×LE≧3×102×LS2を満足する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

(A)制御電極、 (B)第1電極及び第2電極、並びに、 (C)第1電極と第2電極の間であって、絶縁層を介して制御電極と対向して設けられた能動層、を備えた3端子型電子デバイスであって、能動層は、ナノシートの集合体から成り、ナノシートの平均サイズをLS、第1電極と第2電極の間隔をDとしたとき、LS/D≧10を満足する3端子型電子デバイス。

IPC (3)：

H01L 29/786 , G01N 27/414 , H01L 29/06

FI (3)：

H01L29/78 618B , G01N27/30 301V , H01L29/06 601N

F-Term (55)：

5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110BB09 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF24 , 5F110FF25 , 5F110FF26 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG04 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110QQ02 , 5F110QQ06 , 5F110QQ14

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

Cited by examiner (2)

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