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J-GLOBAL ID:201103026615838562

ヒメイタビ変異体の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2011063212
Publication number (International publication number):2011120606
Application date: Mar. 22, 2011
Publication date: Jun. 23, 2011
Summary:
【課題】窒素酸化物吸収能力に優れたヒメイタビを提供する。【解決手段】本発明に係るヒメイタビ変異体は、下記(i)〜(iii)の工程を含む製造方法により得られる。(i)親株であるヒメイタビ(Ficus thunbergii)の外植片に、イオンビームを照射する工程。(ii)イオンビームを照射した上記外植片を培養して、植物体を得る工程。(iii)上記植物体の中から、上記親株より高い窒素酸化物吸収能力を有する、ヒメイタビ変異体を選抜する工程。これにより、二酸化窒素等の窒素酸化物吸収能力に優れた、屋上や壁等の壁面緑化に好適なヒメイタビ変異体を提供することができる。【選択図】なし
Claim (excerpt):
下記(i)〜(iii)の工程を含むことを特徴とするヒメイタビ(Ficus thunbergii)変異体の製造方法: (i)親株であるヒメイタビの外植片に、イオンビームを照射する工程; (ii)イオンビームを照射した上記外植片を培養して、植物体を得る工程; (iii)0.1μl/l以上1.0μl/l以下の二酸化窒素に上記植物体を曝露した後、当該植物体の二酸化窒素吸収量を測定することにより、上記植物体の中から、上記親株より高い二酸化窒素吸収能力を有する、ヒメイタビ変異体を選抜する工程。
IPC (1):
A01H 1/06
FI (1):
A01H1/06
F-Term (4):
2B030AB03 ,  2B030AD20 ,  2B030CA28 ,  2B030CB01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
Article cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
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