不揮発性ランダムアクセスメモリおよび不揮発性メモリシステム

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009183517
Publication number (International publication number)：2011039585
Application date： Aug. 06, 2009
Publication date： Feb. 24, 2011
Summary：

【課題】ランダムアクセス可能でありながら電源を切った後もデータ保持可能で、アプリケーションに応じたECCの付加が可能な不揮発性ランダムアクセスメモリおよび不揮発性メモリシステムを提供する。【解決手段】NVRAM21は、ランダムアクセス可能で、データ領域と、エラー訂正(ECC)コードを保存するためのECC領域の2つの領域を含む不揮発性記憶領域211と、データ領域にアクセスする際に使用するデータサイズをデータ領域単位サイズとして外部から設定するための不揮発性記憶領域設定機能を実現する不揮発性記憶領域制御部212と、を有し、不揮発性記憶領域制御部212は、設定されたデータ領域単位サイズに従ってデータ領域とECC領域を管理し、データ領域単位サイズごとに、上記不揮発性記憶領域制御部が設定したECC領域単位サイズのECC領域を割り当てる機能を含む。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

ランダムアクセス可能で、データを保存するデータ領域と、エラー訂正コード(ECC)を保存するためのECC領域の2つの領域を含む不揮発性記憶領域と、上記データ領域にアクセスする際に使用するデータサイズをデータ領域単位サイズとして外部から設定するための不揮発性記憶領域設定機能を実現する不揮発性記憶領域制御部と、を有し、上記不揮発性記憶領域制御部は、上記設定されたデータ領域単位サイズに従って上記データ領域とECC領域を管理し、上記データ領域のデータ領域単位サイズごとに、上記不揮発性記憶領域制御部が設定したECC領域単位サイズのECC領域を割り当てる機能を含む不揮発性ランダムアクセスメモリ。

IPC (5)：

G06F 12/16 , G11C 16/02 , G11C 16/06 , G06F 12/02 , G06F 12/00

FI (5)：

G06F12/16 320A , G11C17/00 601A , G11C17/00 639C , G06F12/02 510A , G06F12/00 597U

F-Term (16)：

5B018GA02 , 5B018HA14 , 5B060AA03 , 5B060AA12 , 5B125BA01 , 5B125CA08 , 5B125CA24 , 5B125CA27 , 5B125CA28 , 5B125DD03 , 5B125DD04 , 5B125DE08 , 5B125DE13 , 5B125EA05 , 5B125FA01 , 5B125FA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

データ処理システム及びデータ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-275983 Applicant：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社
動的可変長誤り訂正符号
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-226457 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
半導体記憶装置及びマイクロコンピュータ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-199585 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

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