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J-GLOBAL ID：201103027437858887

相変化構造物、相変化物質層の形成方法、相変化メモリ装置及び相変化メモリ装置の製造方法

Inventor： 呉 真 浩 ,  朴 正 熙 ,  姜 晩 錫 ,  崔 炳 徳 ,  呉 圭 煥 ,  朴 恵 英 ,  朴 斗 煥
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 特許業務法人共生国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010293210
Publication number (International publication number)：2011139070
Application date： Dec. 28, 2010
Publication date： Jul. 14, 2011
Summary：

【課題】抵抗マージンと維持特性を確保しながら優秀なステップカバレッジ、又は、ギャップフィル特性を有する、微小サイズの相変化物質層パターンをHARS(High_Aspect_Ratio_Structure、高縦横比構造)内に含む相変化構造物を提供すること。【解決手段】相変化構造物はHARSを部分的に満たし、第1相変化物質を含む第1相変化物質層パターン、及び前記HARSの残りを満たし、前記第1相変化物質と相異なる組成を有する第2相変化物質を含む。インサイチュリフローメカニズムを通じてHARSを欠陥なく充分に満たす相変化物質層パターンを形成する。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

HARS(High_Aspect_Ratio_Structure、高縦横比構造、以下、HARSという)を部分的に満たし、第1相変化物質を含む第1相変化物質層パターンと、 前記HARSの残りを満たし、前記第1相変化物質と相異なる組成を有する第2相変化物質を含む第2相変化物質層パターンと、を具備することを特徴とする相変化構造物。

IPC (2)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00

FI (2)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A

F-Term (16)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR22 ,  5F083PR25 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40