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J-GLOBAL ID：201103031392489602

RE123系酸化物超電導体とその製造方法

Inventor： リー,セルゲイ ,  中尾 公一 ,  筑本 知子
Applicant, Patent owner： 財団法人国際超電導産業技術研究センター
Agent (5)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  亀松 宏 ,  永坂 友康
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2008066932
Publication number (International publication number)：WO2009044637
Application date： Sep. 12, 2008
Publication date： Apr. 09, 2009
Summary：

RE123系酸化物超電導体の製造方法において、(i)下記式(1)及び(2)を満たすRE、Ba、及び、Cuを含む酸化物系ターゲット材にパルスレーザーを照射してプルームを形成し、(ii)上記プルームの中に基材を保持してRE123系酸化物超電導膜を成膜することを特徴とするRE123系酸化物超電導体の製造方法。 0.8≦2RE/Ba<1.0・・・(1) 0.8≦3Ba/2Cu<1.0・・・(2) ここで、REは、Y、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、及び、Erのいずれか1種又は2種以上

Claim (excerpt)：

RE123系酸化物超電導体の製造方法において、 (i)下記式(1)及び(2)を満たすRE、Ba、及び、Cuを含む酸化物系ターゲット材にパルスレーザーを照射してプルームを形成し、 (ii)上記プルームの中に基材を保持してRE123系酸化物超電導膜を成膜する ことを特徴とするRE123系酸化物超電導体の製造方法。 0.8≦2RE/Ba<1.0 ・・・(1) 0.8≦3Ba/2Cu<1.0 ・・・(2) ここで、REは、Y、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、及び、Erのいずれか1種又は2種以上

IPC (4)：

H01B 13/00 ,  C23C 14/28 ,  C23C 14/08 ,  H01B 12/06

FI (4)：

H01B13/00 565D ,  C23C14/28 ,  C23C14/08 L ,  H01B12/06

F-Term (15)：

4K029AA02 ,  4K029BA43 ,  4K029BC04 ,  4K029CA01 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  4K029GA00 ,  5G321AA02 ,  5G321AA04 ,  5G321CA04 ,  5G321CA18 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321DB37