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J-GLOBAL ID:201103031944462569

垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 平木 祐輔 ,  渡辺 敏章
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009157192
Publication number (International publication number):2011014191
Application date: Jul. 01, 2009
Publication date: Jan. 20, 2011
Summary:
【課題】高いSNR、熱安定性、記録性能を同時に満たす垂直磁気記録媒体を提供する。【解決手段】基板上に、磁性層軟磁性下地層、磁性層の配向と偏析を制御するための下地層、その下地層上に形成された酸化物を含有するCoとCrとPtを主体とする合金磁性材料からなる磁性層、その磁性層の上に形成された酸化物を含まないCoとCrとPtを主体とする強磁性金属層とを有する。酸化物を含む磁性層は二層以上の層から構成され、強磁性金属層に隣接する層のCr濃度が23at.%以上32at.%以下であり、隣接する層間のCr濃度の差が25at.%以下であり、最もCr濃度の低い層は酸化物が強磁性粒子を取り囲んだグラニュラー構造を有し逆磁区核形成磁界が159.2kA/m以上である。【選択図】図1
Claim (excerpt):
基板上に設けられた軟磁性下地層と、 磁性層の配向と偏析を制御するための下地層と、 前記下地層上に形成された酸化物を含有するCoとCrとPtを主体とする合金磁性材料からなる磁性層と、 前記磁性層の上に形成された酸化物を含まないCoとCrとPtを主体とする強磁性金属層とを有し、 前記酸化物を含む磁性層は第一磁性層と第二磁性層の二層から構成され、前記強磁性金属層に隣接する前記第二磁性層のCr濃度が23at.%以上32at.%以下であり、前記第二磁性層のCr濃度とその下層に設けられた前記第一磁性層のCr濃度との差が25at.%以下であり、前記第一磁性層は強磁性粒子を酸化物が取り囲んだグラニュラー構造を有し、 逆磁区核形成磁界が159.2kA/m以上であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
IPC (5):
G11B 5/66 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/64 ,  G11B 5/738 ,  G11B 5/851
FI (5):
G11B5/66 ,  G11B5/65 ,  G11B5/64 ,  G11B5/738 ,  G11B5/851
F-Term (12):
5D006BB02 ,  5D006BB06 ,  5D006BB07 ,  5D006BB08 ,  5D006BB09 ,  5D006CA03 ,  5D006CA05 ,  5D006CA06 ,  5D112AA05 ,  5D112BB05 ,  5D112FA04 ,  5D112FB19
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2007-215196   Applicant:ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ
  • 垂直磁気記録媒体
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2008-088118   Applicant:HOYA株式会社, ホーヤマグネティクスシンガポールプライベートリミテッド

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