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J-GLOBAL ID：201103032303113110

半導体装置およびその作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010273185
Publication number (International publication number)：2011142310
Application date： Dec. 08, 2010
Publication date： Jul. 21, 2011
Summary：
【課題】本発明の一態様は、酸化物半導体を用いたデバイスにおいて高い移動度を達成し、信頼性の高い表示装置を提供する。【解決手段】表面と略垂直な方向にc軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第3の加熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素を含む窒化物絶縁層を形成し、第4の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
絶縁表面を有する基板上に第1の酸化物半導体層を形成し、 第1の加熱処理を行うことにより、前記第1の酸化物半導体層の表面から内部に向かって結晶成長し、該表面と略垂直な方向にc軸が配向する結晶領域を形成し、 前記第1の酸化物半導体層上に第2の酸化物半導体層を形成し、 第2の加熱処理を行うことにより、前記結晶領域から結晶成長させて前記第2の酸化物半導体層の少なくとも一部を結晶化し、 前記第2の酸化物半導体層上に導電層を形成し、 前記導電層をエッチングすることにより、ソース電極層およびドレイン電極層を形成し、 前記第2の酸化物半導体層、前記ソース電極層、および前記ドレイン電極層を覆うように酸化物絶縁層を形成し、 第3の加熱処理を行うことにより、前記第2の酸化物半導体層に酸素を供給し、 前記酸化物絶縁層上の前記第2の酸化物半導体層と重畳する領域にゲート電極層を形成し、 前記酸化物絶縁層および前記ゲート電極層上に、水素を含む窒化物絶縁層を形成し、 第4の加熱処理を行うことにより、少なくとも前記第2の酸化物半導体層と前記酸化物絶縁層の界面に水素を供給する半導体装置の作製方法。
IPC (10)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/20 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50
FI (10)：
H01L29/78 627G ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 321 ,  H01L21/20 ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A
F-Term (191)：
2H092GA43 ,  2H092GA48 ,  2H092GA50 ,  2H092GA55 ,  2H092JA26 ,  2H092JA33 ,  2H092JA35 ,  2H092JA40 ,  2H092JA46 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092KA04 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA19 ,  2H092KB05 ,  2H092KB14 ,  2H092KB22 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA29 ,  2H092NA22 ,  2H092QA07 ,  2H092QA09 ,  2H092QA13 ,  2H092QA14 ,  2H092RA10 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC31 ,  3K107CC42 ,  3K107CC45 ,  3K107EE03 ,  3K107GG00 ,  3K107HH05 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083EP75 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA08 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA44 ,  5F083PR01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR12 ,  5F083PR18 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR38 ,  5F101BA17 ,  5F101BA19 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD34 ,  5F101BD39 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BF09 ,  5F101BH02 ,  5F101BH14 ,  5F101BH15 ,  5F101BH16 ,  5F101BH17 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA19 ,  5F110BB02 ,  5F110BB08 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL05 ,  5F110HL07 ,  5F110HM03 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN77 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ23 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC08 ,  5F152CD12 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD16 ,  5F152CE01 ,  5F152CE16 ,  5F152CE24 ,  5F152CE45 ,  5F152EE14 ,  5F152EE16 ,  5F152FF11 ,  5F152FF14 ,  5F152FF15 ,  5F152FF16 ,  5F152FF17 ,  5F152FF22
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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