Pat

J-GLOBAL ID：201103032947415061

放射線検出器

Inventor： 松浦 秀治
Applicant, Patent owner： 株式会社X線技術研究所
Agent (1)： 山村 喜信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009157627
Publication number (International publication number)：2011014718
Application date： Jul. 02, 2009
Publication date： Jan. 20, 2011
Summary：

【課題】半導体の基板(I層)を厚くし得ると共に、高抵抗率の半導体を用いることができるSSDを提供することで、エネルギーの高い放射線の検出精度を高める。【解決手段】I層の第1の面にP層が設けられ、I層の第2の面に島状のN層が設けられると共にN層を中心として環状のPリングが形成され、放射線の入射によりI層で発生した電荷をP層およびPリングに印加した電圧により生じた電位勾配によってN層に集める放射線検出器に関する。P層に電圧印加用の第1電極端子を設け、P層の外周部分に対峙する位置に設けた1本のPリングに電圧印加用の第2電極端子を設け、第2の面における外周部分に対峙する位置に設けたPリングとN層との間には、絶縁層が設けられ、絶縁層の表面に電圧印加用のリング状の電極端子が設けられていることを特徴とする。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

I層の第1の面にP層が設けられ、I層の第2の面に島状のN層が設けられると共に前記N層を中心として環状のPリングが形成され、放射線の入射によりI層で発生した電荷を前記P層およびPリングに印加した電圧により生じた電位勾配によって前記N層に集める放射線検出器において、 前記P層に電圧印加用の第1電極端子を設け、 前記第2の面における前記P層の外周部分に対峙する位置に設けた1本のPリングに電圧印加用の第2電極端子を設け、 前記第2の面における前記外周部分に対峙する位置に設けた前記Pリングと前記N層との間には絶縁層が設けられ、 前記絶縁層の表面に電圧印加用のリング状の電極端子が設けられていることを特徴とする放射線検出器。

IPC (2)：

H01L 31/09 ,  G01T 1/24

FI (2)：

H01L31/00 A ,  G01T1/24

F-Term (14)：

2G088EE03 ,  2G088FF02 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ31 ,  2G088JJ33 ,  5F088AA03 ,  5F088AB03 ,  5F088BA07 ,  5F088BB06 ,  5F088DA01 ,  5F088GA04 ,  5F088HA20 ,  5F088LA08