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J-GLOBAL ID：201103033954092908

透明導電体の製造方法、透明導電体、デバイス及び電子機器

Inventor： 長谷川 哲也 ,  廣瀬 靖 ,  毛利 聖
Applicant, Patent owner： 財団法人神奈川科学技術アカデミー ,  国立大学法人 東京大学
Agent (6)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009205913
Publication number (International publication number)：2011060448
Application date： Sep. 07, 2009
Publication date： Mar. 24, 2011
Summary：

【課題】低コストで低抵抗化を実現可能な透明導電体の製造方法を提供する。【解決手段】基板11上に設けられた透明導電体の製造方法であって、透明導電体は、アナターゼ型TiO2の酸素をフッ素に置換して得られるアナターゼ型結晶構造を有するF:TiO2であり、パルスレーザ堆積法を用い、制御された酸素分圧の雰囲気下において、TiとFとからなる化合物にパルスレーザを照射し、300°C以上650°C以下加熱された基板11上に反応生成物をエピタキシャル成長させることにより行うことを特徴とする。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板上に設けられた透明導電体の製造方法であって、 前記透明導電体は、アナターゼ型TiO2の酸素をフッ素に置換して得られるアナターゼ型結晶構造を有するF:TiO2であり、 パルスレーザ堆積法を用い、制御された酸素分圧の雰囲気下において、TiとFとからなる化合物にパルスレーザを照射し、300°C以上650°C以下加熱された前記基板上に反応生成物をエピタキシャル成長させることにより行うことを特徴とする透明導電体の製造方法。

IPC (4)：

H01B 13/00 ,  H01B 5/14 ,  C23C 14/28 ,  H01L 31/04

FI (5)：

H01B13/00 503B ,  H01B5/14 A ,  C23C14/28 ,  H01L31/04 H ,  H01L31/04 M

F-Term (24)：

4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA48 ,  4K029BB09 ,  4K029BC09 ,  4K029CA02 ,  4K029DA08 ,  4K029DB17 ,  4K029DB20 ,  4K029EA08 ,  5F051CB27 ,  5F051FA02 ,  5F051FA08 ,  5F151CB27 ,  5F151FA02 ,  5F151FA08 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB04 ,  5G323BB06 ,  5G323BC03