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J-GLOBAL ID：201103034790603767

基板物質による成長速度の違いを利用した有機分子性物質高配向集合体の微細構造パターンの作成法

Inventor： 島田 敏宏 ,  小間 篤
Applicant, Patent owner： 東京大学長
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：1995067476
Publication number (International publication number)：1996264445
Patent number：2762046
Application date： Mar. 27, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Claim (excerpt)：

【請求項1】 イオン性物質の単結晶基板物質上にリソグラフィーとエピタキシャル成長によって、イオン結合性の異なる別のイオン性物質を単結晶化させて微細パターンを作る第1工程と、被覆を目的とする有機分子性物質が、前記工程で作製したパターンにおいて、成長させる有機分子性物質と基板物質とに成長させたイオン性物質との組み合わせによって、前記有機分子性物質が基板物質及び成長させたイオン性物質のうちどちらか一方のみの上に成長し、他方にはほとんど成長しない最適温度に基板温度を保ちながら、目的の有機分子性物質のエピタキシャル成長を行い、上記イオン性物質の単結晶基板上に有機分子性物質の高配向集合体の微細構造パターンを作成する第2工程とから成ることを特徴とする基板物質による成長速度の違いを利用した有機分子性物質高配向集合体の微細構造パターンの作成法。

IPC (5)：

H01L 21/203 ,  G02B 6/13 ,  G02F 1/35 503 ,  G02F 1/35 504 ,  H01L 21/363

FI (5)：

H01L 21/203 M ,  G02F 1/35 503 ,  G02F 1/35 504 ,  H01L 21/363 ,  G02B 6/12 M