Pat
J-GLOBAL ID：201103035017992130

薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置、および電子機器

Inventor：
牛倉 信一

About 牛倉 信一

, 
勝原 真央

About 勝原 真央


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 特許業務法人信友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010154779
Publication number (International publication number)：2011077500
Application date： Jul. 07, 2010
Publication date： Apr. 14, 2011
Summary：
【課題】有機半導体層とソース電極/ドレイン電極との間のコンタクト抵抗を図りながらも微細化プロセスの適用が可能でかつ良好な特性を有する薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】トップコンタクト・ボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層17とソース電極21s/ドレイン電極21dとの間に、有機半導体材料と共にアクセプタ性材料またはドナー性材料を含有するコンタクト層19を設けた。有機半導体層17の導電型がp型である場合には、コンタクト層19にはアクセプタ性材料が含有されている。コンタクト層19は、有機半導体層17と同一のパターン形状を有している。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
有機半導体層とソース電極/ドレイン電極との間に、有機半導体材料と共にアクセプタ性材料またはドナー性材料を含有するコンタクト層を設けた 薄膜トランジスタ。
IPC (5)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40
FI (8)：
H01L29/78 616U ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220A ,  H01L29/28 370
F-Term (41)：
5F110AA03 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB09 ,  5F110BB20 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG19 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK28 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42 ,  5F110NN12 ,  5F110NN27 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
Show all
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM