光電変換素子の製造方法、光電変換素子、および光電気化学電池

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：飯田敏三 , 宮前尚祐
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009223450
Publication number (International publication number)：2011071070
Application date： Sep. 28, 2009
Publication date： Apr. 07, 2011
Summary：

【課題】変換効率が高く、廉価な光電変換素子および光電気化学電池を提供する。【解決手段】導電性支持体上に色素が吸着された多孔質半導体微粒子を有する感光層、電荷移動層、および対極を含む積層構造よりなる光電変換素子の製造方法であって、半導体微粒子以外の固形分の含量が半導体微粒子分散液全体の10質量%以下の分散液を前記導電性支持体上に塗布し加熱することにより多孔質半導体微粒子を得る工程、及び該多孔質半導体微粒子を下記一般式で表される構造を有する色素で増感する工程を含有する光電変換素子の製造方法。(式中、Xは、O、S又はCR2(R3)、Yは色素残基、nは1以上の整数、Zは置換基、mは0または正の整数を表す。mが2以上の場合、Zは同一でも異なっていてもよい。R1、R2、R3はH、又は置換基を表す。)【選択図】なし

Claim (excerpt)：

導電性支持体上に色素が吸着された多孔質半導体微粒子を有する感光層、電荷移動層、および対極を含む積層構造よりなる光電変換素子の製造方法であって、半導体微粒子以外の固形分の含量が半導体微粒子分散液全体の10質量%以下の分散液を前記導電性支持体上に塗布し加熱することにより多孔質半導体微粒子を得る工程、及び該多孔質半導体微粒子を下記一般式(1)で表される構造を有する色素で増感する工程を含有することを特徴とする光電変換素子の製造方法。

IPC (2)：

H01M 14/00 , H01L 31/04

FI (2)：

H01M14/00 P , H01L31/04 Z

F-Term (28)：

5F051AA11 , 5F051AA14 , 5F051CB13 , 5F051FA02 , 5F051FA03 , 5F051FA06 , 5F051GA03 , 5F051GA05 , 5F151AA11 , 5F151AA14 , 5F151CB13 , 5F151FA02 , 5F151FA03 , 5F151FA06 , 5F151GA03 , 5F151GA05 , 5H032AA06 , 5H032AS06 , 5H032AS16 , 5H032BB02 , 5H032BB05 , 5H032CC16 , 5H032EE04 , 5H032EE16 , 5H032EE18 , 5H032EE20 , 5H032HH01 , 5H032HH06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

導電性基板、色素増感型太陽電池用電極基板、及び色素増感型太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-326860 Applicant：大日本印刷株式会社

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