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J-GLOBAL ID：201103037718599193

非磁性近見反応計測方法および装置

Inventor： 武田 常廣 ,  遠藤 博史 ,  橋本 佳三
Applicant, Patent owner： 工業技術院長
Agent (1)： 工業技術院生命工学工業技術研究所長
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：1996050686
Publication number (International publication number)：1997238903
Patent number：2733216
Application date： Mar. 08, 1996
Publication date： Sep. 16, 1997
Claim (excerpt)：

【請求項1】 磁気シールド室内に被検者の脳内の反応を計測する脳内反応計測装置を設置し、眼の歪まない実像を所定距離離れた位置に結像させるリレーレンズ系が搭載された非磁性部材の一端を前記磁気シールド室内の被検者の眼の位置に、他端を前記磁気シールド室外の所定の位置に位置させ、前記リレーレンズ系が搭載された非磁性部材の他端位置に前記被検者の眼に対する調節刺激を与える調節刺激付与装置および該調節刺激に対する眼の反応を計測する眼反応計測装置を配置し、前記調節刺激付与装置により前記被検者の眼に対して調節刺激を与えつつ、前記眼および脳内反応計測装置で前記調節刺激に対する眼および脳内反応を同時に計測することを特徴とする非磁性近見反応計測方法。

IPC (4)：

A61B 5/05 ,  A61B 3/10 ,  A61B 3/11 ,  A61B 5/055

FI (4)：

A61B 5/05 A ,  A61B 3/10 M ,  A61B 3/10 A ,  A61B 5/05 390