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J-GLOBAL ID：201103038706315161

プラズマ成膜装置及び方法

Inventor： 河野 雄一 ,  藤原 敏人 ,  松倉 明彦 ,  神山 卓也 ,  山本 哲也
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社 ,  株式会社日本触媒
Agent (4)： 光石 俊郎 ,  光石 忠敬 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010042554
Publication number (International publication number)：2011181599
Application date： Feb. 26, 2010
Publication date： Sep. 15, 2011
Summary：

【課題】膜厚の均一性を向上させることができるプラズマ成膜装置及び方法を提供する。【解決手段】原料ガスをプラズマ状態にし、プラズマ状態の原料ガス同士を反応させて、基板W上に成膜を行う際、基板にバイアスを印加するプラズマ成膜装置1において、基板Wにバイアスを印加する電極11の半径R2を、基板の半径R1より大きくした。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

原料ガスをプラズマ状態にし、プラズマ状態の前記原料ガス同士を反応させて、基板上に成膜を行う際、前記基板にバイアスを印加するプラズマ成膜装置において、 前記基板にバイアスを印加する電極の大きさを、前記基板より大きくしたことを特徴とするプラズマ成膜装置。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/312 ,  C23C 16/507

FI (3)：

H01L21/31 C ,  H01L21/312 A ,  C23C16/507

F-Term (15)：

4K030AA07 ,  4K030AA10 ,  4K030BA35 ,  4K030FA04 ,  4K030KA20 ,  5F045AA08 ,  5F045AB39 ,  5F045AC07 ,  5F045AE17 ,  5F045DP03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH11 ,  5F058AC10 ,  5F058AD09 ,  5F058AF02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-271122
  
• 基板処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-179672   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 特開平4-271122