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J-GLOBAL ID:201103038744792437

フェノキシスルホン化芳香族ポリイミド及び高分子電解質膜

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 成瀬 勝夫 ,  中村 智廣 ,  佐野 英一
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2005136326
Publication number (International publication number):2006312693
Patent number:4608363
Application date: May. 09, 2005
Publication date: Nov. 16, 2006
Claim (excerpt):
【請求項1】 下記式(1)で表される構造単位を有することを特徴とするフェノキシスルホン化芳香族ポリイミド。 (但し、Ar1は少なくとも1つの芳香環を有する4価の基であり、Ar2は下記式(2)で示される2価の基である。) (但し、Xは水素原子、アルカリ金属、アンモニウム又は4級アミンである。)
IPC (2):
C08G 73/10 ( 200 6.01) ,  H01B 1/06 ( 200 6.01)
FI (2):
C08G 73/10 ,  H01B 1/06 A
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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