Pat

J-GLOBAL ID：201103040626128438

グラフェン膜の形成方法

Inventor： 能澤 克弥 ,  吉井 重雄
Applicant, Patent owner： パナソニック株式会社
Agent (3)： 内藤 浩樹 ,  永野 大介 ,  藤井 兼太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010045132
Publication number (International publication number)：2011178617
Application date： Mar. 02, 2010
Publication date： Sep. 15, 2011
Summary：

【課題】基板上にグラフェン膜を形成する方法を提供する。【解決手段】c面を有するサファイア基板の上に、金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、水素雰囲気中での第1の熱処理工程と、水素およびメタン混合雰囲気中での第2の熱処理工程と、冷却工程を行なうことで、前記サファイア基板上に欠陥の少ないグラフェン膜が形成される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上にグラフェン膜を形成する方法であって、 前記基板上にニッケルあるいはコバルトからなる金属膜を形成する工程と、 前記基板を水素ガス雰囲気下で加熱することにより前記金属膜を再結晶化させて、エピタキシャル金属膜を形成する第1の熱処理工程と、 前記基板をメタンガスと水素ガスの混合雰囲気下で加熱する第2の熱処理工程とを有し、 前記基板はc面サファイア基板である、方法。

IPC (1)：

C01B 31/04

FI (1)：

C01B31/04 101Z

F-Term (12)：

4G146AA02 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC03 ,  4G146BC25 ,  4G146BC33B ,  4G146BC44