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J-GLOBAL ID：201103040820671754

有機半導体ドット作製材料、有機半導体ドット構造体および有機半導体ドットの作製方法

Inventor： 中村 貴義 ,  芥川 智行
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構
Agent (1)： 佐川 慎悟
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2003276273
Publication number (International publication number)：2005039130
Patent number：4497511
Application date： Jul. 17, 2003
Publication date： Feb. 10, 2005
Claim (excerpt)：

【請求項1】 下記の一般式(I)で表される化合物とヨウ素との電荷移動錯体を有効成分とする有機半導体ドット作製材料。 〔式(I)において、R1は炭素数8〜20のアルキル鎖であり、nは0または1である。〕

IPC (6)：

H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 51/40 ( 200 6.01) ,  C07D 519/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/368 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01)

FI (6)：

H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 220 C ,  H01L 29/28 310 C ,  C07D 519/00 ,  H01L 21/368 L ,  H01L 29/06 601 D