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J-GLOBAL ID：201103041428199458

デバイス、薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 新海 征治 ,  原口 修一 ,  白木 智丈 ,  小川 雅司 ,  中谷 修平 ,  坂上 恵 ,  後藤 修 ,  柿本 秀信
Applicant, Patent owner： 財団法人九州先端科学技術研究所 ,  パナソニック株式会社 ,  住友化学株式会社
Agent (3)： 田中 光雄 ,  山田 卓二 ,  西下 正石
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009263201
Publication number (International publication number)：2011108527
Application date： Nov. 18, 2009
Publication date： Jun. 02, 2011
Summary：

【課題】塗布法により機能性薄膜を所望の領域に形成し、特性やその寿命が良好なデバイス、薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供すること。 【解決手段】基板と、前記基板上に形成された第1電極と、前記第1電極の上方に形成された機能性薄膜と、前記機能性薄膜の上方に設けられた第2電極とを具備し、前記機能性薄膜の形成領域の周囲において、フッ素を含む基とパイ共役系がシクロアルケン構造またはシクロアルカン構造で結合された化合物を含む膜が形成されていることを特徴とするデバイス。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

基板と、 前記基板上に形成された第1電極と、 前記第1電極の上方に形成された機能性薄膜と、 前記機能性薄膜の上方に設けられた第2電極とを具備し、 前記機能性薄膜の形成領域の周囲において、フッ素を含む基とパイ共役系がシクロアルケン構造またはシクロアルカン構造で結合された化合物を含む膜が形成されていることを特徴とするデバイス。

IPC (5)：

H05B 33/22 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50

FI (5)：

H05B33/22 Z ,  H01L29/78 619A ,  H05B33/12 B ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A

F-Term (27)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107CC23 ,  3K107CC45 ,  3K107DD89 ,  3K107EE03 ,  3K107GG00 ,  3K107GG24 ,  3K107GG28 ,  5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110FF03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK03 ,  5F110HK21 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33