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J-GLOBAL ID:201103044781642500

スピントロニクス装置及び論理演算素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 三好 秀和 ,  鈴木 壯兵衞
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009234395
Publication number (International publication number):2011082388
Application date: Oct. 08, 2009
Publication date: Apr. 21, 2011
Summary:
【課題】 電流-スピン流変換効率が高く、高強度のスピン流が得られるスピントロニクス装置を提供する。【解決手段】 対向する第1端面及び第2端面を有し、正孔と電子とが同程度のキャリア密度と移動度を有し、ホール係数がゼロである非磁性の両極性伝導金属からなるスピン流生成領域30と、第1端面に設けられ、スピン偏極された正孔をスピン流生成領域30に注入する強磁性体からなる第1主電極20と、第2端面に設けられ、電子をスピン流生成領域30に注入する第2主電極40とを備える。ローレンツ力により、正孔と電子とを同一方向に輸送されるようにして、正孔と電子の電荷を互いに相殺してスピン流を得る。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
互いに平行に対向する第1端面及び第2端面を有し、第1導電型キャリアと第2導電型キャリアとが同程度のキャリア密度と移動度を有し、ホール係数がゼロである非磁性の両極性伝導金属からなるスピン流生成領域と、 前記第1端面に設けられ、スピン偏極された第1導電型キャリアを前記スピン流生成領域に注入する強磁性体からなる第1主電極と、 前記第2端面に設けられ、第2導電型キャリアを前記スピン流生成領域に注入する第2主電極 とを備え、前記第1端面に垂直な面に直交する方向の磁場のローレンツ力により、第1導電型キャリアと第2導電型キャリアとを同一方向に輸送されるように偏向して、第1導電型キャリアと第2導電型キャリアの電荷を互いに相殺し、前記スピン流生成領域においてスピン流を得ることを特徴とするスピントロニクス装置。
IPC (4):
H01L 29/82 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H03K 19/18
FI (3):
H01L29/82 Z ,  H01L27/10 447 ,  H03K19/18
F-Term (11):
4M119BB20 ,  5F092AB06 ,  5F092AB10 ,  5F092AC26 ,  5F092AD07 ,  5F092AD08 ,  5F092BD03 ,  5F092BD13 ,  5F092BD15 ,  5F092BD19 ,  5F092BD20

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