Pat

J-GLOBAL ID：201103045244912980

光電変換素子及びその製造方法

Inventor： 矢野 公規 ,  井上 一吉
Applicant, Patent owner： 出光興産株式会社
Agent (3)： 渡辺 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009238558
Publication number (International publication number)：2011086770
Application date： Oct. 15, 2009
Publication date： Apr. 28, 2011
Summary：

【課題】耐久性に優れ、光変換効率の高い光電変換素子を提供する。【解決手段】p型シリコン層20とn型酸化物半導体層30が積層されたことを特徴とする光電変換素子1。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

p型シリコン層とn型酸化物半導体層が積層されたことを特徴とする光電変換素子。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (2)：

H01L31/04 B ,  H01L31/04 A

F-Term (34)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051AA20 ,  5F051BA11 ,  5F051CA13 ,  5F051CA34 ,  5F051CB04 ,  5F051CB15 ,  5F051CB24 ,  5F051CB27 ,  5F051DA03 ,  5F051DA07 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04 ,  5F051KA09 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151AA05 ,  5F151AA20 ,  5F151BA11 ,  5F151CA13 ,  5F151CA34 ,  5F151CB04 ,  5F151CB15 ,  5F151CB24 ,  5F151CB27 ,  5F151DA03 ,  5F151DA07 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151GA04 ,  5F151KA09