Pat
J-GLOBAL ID:201103045824097795
高容量電極
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
杉村 憲司
, 冨田 和幸
, 長友 洋介
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2010547867
Publication number (International publication number):2011514631
Application date: Feb. 25, 2009
Publication date: May. 06, 2011
Summary:
高容量電極は,導電性基板と,その上に設けた複数の支持フィラメントとを備える。各支持フィラメントは実質的に幅よりも大きい長さを有し,例えば,カーボンナノチューブ(CNT),カーボンナノファイバー(CNF)及び/又はナノワイヤー(NW)を備えることができる。支持フィラメントは,かかる支持フィラメントよりも大きいイオン吸収容量を有するシリコンのような材料で被覆される。基板に近接した支持フィラメントの幹部領域を任意にイオン吸収材料がない状態にしておく。この幹部領域は,支持フィラメントの基板からの脱着なしに,イオン吸収材料の膨張を許容する。【選択図】図5A
Claim (excerpt):
電解質の第一領域内に配置し,基板と,該基板に付着した複数の支持フィラメントと,該支持フィラメントに結合し,イオンを吸収する際に体積が少なくとも5パーセント膨張するように構築したイオン吸収材料とを具える電極と,
前記電解質の第一領域と第二領域を分離するように構築したセパレーターと,
前記電解質の第二領域内に配置したカソードとを備え,
前記カソード,アノード及びセパレーターを再充電可能電池として動作するように構築したシステム。
IPC (9):
H01M 4/13
, H01M 4/134
, H01M 4/139
, H01M 10/058
, H01M 4/133
, H01M 4/66
, H01M 4/587
, H01M 4/36
, H01M 4/70
FI (10):
H01M4/02 101
, H01M4/02 105
, H01M4/02 108
, H01M10/00 115
, H01M4/02 104
, H01M4/66 A
, H01M4/58 103
, H01M4/36 C
, H01M4/36 E
, H01M4/70 A
F-Term (61):
5H017AA03
, 5H017BB08
, 5H017CC01
, 5H017DD01
, 5H017DD05
, 5H017EE01
, 5H017EE06
, 5H017HH01
, 5H017HH03
, 5H017HH05
, 5H029AJ05
, 5H029AK01
, 5H029AK02
, 5H029AK03
, 5H029AL01
, 5H029AL02
, 5H029AL03
, 5H029AL07
, 5H029AL11
, 5H029AM07
, 5H029BJ12
, 5H029CJ15
, 5H029CJ22
, 5H029DJ07
, 5H029DJ12
, 5H029DJ15
, 5H029EJ01
, 5H029EJ04
, 5H029HJ04
, 5H029HJ05
, 5H029HJ07
, 5H029HJ08
, 5H029HJ12
, 5H029HJ19
, 5H050AA07
, 5H050BA16
, 5H050BA17
, 5H050CA01
, 5H050CA08
, 5H050CA09
, 5H050CB01
, 5H050CB02
, 5H050CB03
, 5H050CB07
, 5H050CB08
, 5H050CB11
, 5H050DA04
, 5H050DA16
, 5H050FA02
, 5H050FA08
, 5H050FA12
, 5H050FA16
, 5H050FA18
, 5H050GA16
, 5H050GA22
, 5H050HA04
, 5H050HA05
, 5H050HA07
, 5H050HA08
, 5H050HA12
, 5H050HA19
Patent cited by the Patent: