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J-GLOBAL ID：201103046982681654

可変抵抗メモリ装置の製造方法及び可変抵抗メモリ装置

Inventor： 朴 瑛 琳 ,  李 ジン 一 ,  安 東 浩 ,  李 始 炯 ,  呉 圭 煥
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 特許業務法人共生国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010261769
Publication number (International publication number)：2011114344
Application date： Nov. 24, 2010
Publication date： Jun. 09, 2011
Summary：

【課題】相変化物質膜を有する可変抵抗メモリ装置の加熱電極の形成方法とこれを利用する可変抵抗メモリ装置を提供する。【解決手段】可変抵抗メモリ装置の製造方法は、加熱電極を形成し、加熱電極上に可変抵抗の物質膜を形成し、そして、可変抵抗の物質膜上に上部電極を形成する。加熱電極はチタニウムより原子の半径が大きい金属窒化物を含み、プラズマを利用しない熱化学蒸着(thermal CVD)法で形成される。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

加熱電極を形成する段階と、 前記加熱電極上に可変抵抗の物質膜を形成する段階と、 前記可変抵抗の物質膜上に上部電極を形成する段階と、を有し、 前記加熱電極はチタニウムより原子の半径が大きい金属窒化物を含み、プラズマを利用しない熱化学蒸着法を利用して形成することを特徴とする可変抵抗メモリ装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00

FI (2)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A

F-Term (13)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA31 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA60 ,  5F083PR21 ,  5F083ZA21