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J-GLOBAL ID：201103048156120304

全反射減衰型遠紫外分光法およびそれを用いた濃度測定装置

Inventor： 東 昇 ,  苅山 直美 ,  池羽田 晶文
Applicant, Patent owner： 倉敷紡績株式会社
Agent (3)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  石野 正弘
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2009053957
Publication number (International publication number)：WO2009110463
Application date： Mar. 03, 2009
Publication date： Sep. 11, 2009
Summary：

全反射減衰型遠紫外分光において、遠紫外光の波長、測定対象の屈折率、全反射減衰プローブの光学材質の屈折率、プローブと測定対象との界面への紫外光の入射角により定められる、全反射光のエバネッセント波の潜り込み深さを遠紫外域の測定波長範囲で150nm以上として全反射光を測定する。ここで、潜り込み深さが150nm以上になるように選択された屈折率を有する光学材質で作成した全反射減衰プローブを用い、全反射減衰プローブの界面に測定対象を接触させ、遠紫外光を、潜り込み深さが150nm以上となる、臨界角以上の入射角および測定波長範囲で界面に入射し、界面からの全反射光を測定して、測定対象の吸光度を求める。

Claim (excerpt)：

遠紫外光の波長、測定対象の屈折率、全反射減衰プローブの光学材質の屈折率、および、プローブと測定対象との界面への紫外光の入射角により定められる全反射光のエバネッセント波の潜り込み深さを遠紫外域の測定波長範囲で150nm以上として全反射光を測定する全反射減衰吸光方法であって、 上記潜り込み深さが150nm以上になるように選択された屈折率を有する上記光学材質で作成した全反射減衰プローブを用い、全反射減衰プローブの上記界面に上記測定対象を接触させ、 遠紫外光を、上記潜り込み深さが150nm以上となる、臨界角以上の入射角および上記測定波長範囲で上記界面に入射し、 上記界面からの全反射光を測定して、上記測定対象の吸光度を求める 全反射減衰型遠紫外分光法。

IPC (2)：

G01N 21/27 ,  G01N 21/33

FI (2)：

G01N21/27 C ,  G01N21/33

F-Term (13)：

2G059AA01 ,  2G059BB04 ,  2G059BB15 ,  2G059DD12 ,  2G059EE02 ,  2G059EE12 ,  2G059GG10 ,  2G059HH03 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ12 ,  2G059JJ17 ,  2G059KK01 ,  2G059MM01