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J-GLOBAL ID：201103049349401757

中性遷移金属錯体を含む光電子部品

Inventor： イエルジン、ハルトムト ,  フィッシャー、トビアス ,  クツェルビーニーク、ラファル ,  モンコビウス、ウベ
Applicant, Patent owner： メルク パテント ゲーエムベーハー
Agent (18)： 蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2010550056
Publication number (International publication number)：2011514000
Application date： Feb. 25, 2009
Publication date： Apr. 28, 2011
Summary：

本発明は電子部品中の発光体または吸収体としての組成物の使用に関し、当該組成物は第一中性遷移金属錯体および第二中性遷移金属錯体を有する。本発明に従うと、第一遷移金属錯体および第二遷移金属錯体は共に柱状構造を形成する。本発明はさらに前記組成物を有する電子部品の製造方法に関する。

Claim (excerpt)：

電子部品における組成物の使用であって、当該組成物が 第一中性遷移金属錯体と 第二中性遷移金属錯体とを含み、 当該第一遷移金属錯体および当該第二遷移金属錯体が共に柱状構造を形成する使用。

IPC (6)：

H01L 51/50 ,  C07F 15/00 ,  C07F 1/12 ,  C07F 1/10 ,  C09K 11/06 ,  H01L 51/42

FI (9)：

H05B33/14 B ,  C07F15/00 F ,  C07F15/00 E ,  C07F15/00 B ,  C07F15/00 C ,  C07F1/12 ,  C07F1/10 ,  C09K11/06 660 ,  H01L31/04 D

F-Term (19)：

3K107AA01 ,  3K107CC04 ,  3K107CC21 ,  3K107DD53 ,  3K107DD59 ,  3K107DD64 ,  3K107DD69 ,  3K107FF14 ,  3K107GG00 ,  4H048AA03 ,  4H048AB92 ,  4H048VB10 ,  4H050AA03 ,  4H050AB92 ,  5F151AA11 ,  5F151DA07 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03