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J-GLOBAL ID：201103050834604672

半導体記憶装置

Inventor： 甲斐 和香奈 ,  石田 浩一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010120875
Publication number (International publication number)：2011249542
Application date： May. 26, 2010
Publication date： Dec. 08, 2011
Summary：

【課題】バイポーラ動作に適した半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体記憶装置は、第1の方向に延びる複数本のワード線を含むワード線配線層と、前記第1の方向に対して交差する第2の方向に延びる複数本のビット線を含むビット線配線層と、各前記ワード線と各前記ビット線との間に配置されたピラーと、を備える。前記ピラーは、全体にわたってシリコンを含有するセレクタ積層膜と、前記セレクタ積層膜から見て前記ワード線側又は前記ビット線側に配置された可変抵抗膜と、を有する。前記セレクタ積層膜には、前記ワード線側の端部及び前記ビット線側の端部を除く領域の一部に、第14族元素であって原子半径がシリコンよりも大きい元素を含有する1ヶ所の異種成分含有層が形成されている。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

第1の方向に延びる複数本のワード線を含むワード線配線層と、 前記第1の方向に対して交差する第2の方向に延びる複数本のビット線を含むビット線配線層と、 各前記ワード線と各前記ビット線との間に配置されたピラーと、 を備え、 前記ピラーは、 全体にわたってシリコンを含有するセレクタ積層膜と、 前記セレクタ積層膜から見て前記ワード線側又は前記ビット線側に配置された可変抵抗膜と、 を有し、 前記セレクタ積層膜には、前記ワード線側の端部及び前記ビット線側の端部を除く領域の一部に、第14族元素であって原子半径がシリコンよりも大きい元素を含有する1ヶ所の異種成分含有層が形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  G11C 13/00

FI (4)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  G11C13/00 A

F-Term (14)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA44 ,  5F083LA02 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40