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J-GLOBAL ID：201103053626822355

ZnO系半導体発光素子の製造方法

Inventor： 岡田 智 ,  加藤 裕幸 ,  堀尾 直史
Applicant, Patent owner： スタンレー電気株式会社
Agent (2)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009204401
Publication number (International publication number)：2011054866
Application date： Sep. 04, 2009
Publication date： Mar. 17, 2011
Summary：

【課題】光取り出し構造の新規な形成方法を含む、ZnO系半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】ZnO系半導体発光素子の製造方法は、基板上方に、第1導電型ZnO系半導体層を形成する工程と、第1導電型ZnO系半導体層の上方に、第1導電型と逆導電型の、第1の第2導電型ZnO系半導体層を2次元成長させる工程と、第1の第2導電型ZnO系半導体層の上に、第2の第2導電型ZnO系半導体層を3次元成長させる工程とを有する。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

基板上方に、第1導電型ZnO系半導体層を形成する工程と、 前記第1導電型ZnO系半導体層の上方に、該第1導電型と逆導電型の、第1の第2導電型ZnO系半導体層を2次元成長させる工程と、 前記第1の第2導電型ZnO系半導体層の上に、第2の第2導電型ZnO系半導体層を3次元成長させる工程と を有するZnO系半導体発光素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/26 ,  H01L 33/22

FI (2)：

H01L33/00 180 ,  H01L33/00 172

F-Term (5)：

5F041AA03 ,  5F041AA31 ,  5F041CA41 ,  5F041CA66 ,  5F041CA99

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体結晶とその成長方法及び光半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-133897   Applicant：スタンレー電気株式会社, 八百隆文
• LEDチップ、その製造方法および発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-317659   Applicant：三菱電線工業株式会社
• ZnO結晶またはZnO系半導体化合物結晶の製造方法、及びZnO系発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-317973   Applicant：スタンレー電気株式会社