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J-GLOBAL ID：201103053861390284

イオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法

Inventor： 西川 宏之 ,  金子 智紀 ,  飯塚 徹也 ,  三田 孝仁 ,  竹森 利郁
Applicant, Patent owner： 学校法人 芝浦工業大学 ,  丸善石油化学株式会社
Agent (1)： 特許業務法人 小野国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010016632
Publication number (International publication number)：2011154264
Application date： Jan. 28, 2010
Publication date： Aug. 11, 2011
Summary：

【課題】レジスト組成物自体の熱安定性・保存安定性が良好で、ClやNaなどのイオン性の不純物が少なく、広い波長領域で透明性に優れ、厚膜かつアスペクト比の高いレジストパターンが得られるイオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】次の成分(A)および(B)を含有するイオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物並びに上記のネガ型レジスト組成物を利用するパターン形成方法。(A)下記式(1)または環状オレフィンを開環重合した後水素添加した重合体単位、ビニルエーテル重合体単位から選ばれ、イオンビームの照射により現像液に難溶又は不溶となる樹脂、(B)樹脂(A)を溶解する少なくとも一種以上の有機溶剤。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

次の成分(A)および(B)、 (A)下記式(1)ないし(3)で表される繰り返し単位を有する樹脂から選ばれ、イ オンビームの照射により現像液に難溶又は不溶となる樹脂

IPC (6)：

G03F 7/038 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 32/08 ,  C08G 61/08 ,  C08F 16/16

FI (6)：

G03F7/038 505 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08F32/08 ,  C08G61/08 ,  C08F16/16

F-Term (19)：

2H125AM43P ,  2H125AM45P ,  2H125AM54P ,  2H125AN10P ,  2H125CA12 ,  2H125CA30 ,  2H125CB15 ,  2H125CC01 ,  2H125CC11 ,  2H125FA05 ,  4J032CA34 ,  4J032CG00 ,  4J100AE09P ,  4J100AR10P ,  4J100AR11P ,  4J100BC07P ,  4J100BC08P ,  4J100BC12P ,  4J100JA38