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J-GLOBAL ID：201103054291631602

半導体光素子および半導体光装置

Inventor： 小川 新平
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (3)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  中野 晴夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009250247
Publication number (International publication number)：2011095137
Application date： Oct. 30, 2009
Publication date： May. 12, 2011
Summary：

【課題】フィルタ構造を用いずに所定の波長の光を選択的に検出できる半導体光素子および半導体光装置の提供をする。【解決手段】温度検知部5と、温度検知部に熱的に接続された吸収傘10とを含み、吸収傘に入射した光を検出する熱型赤外センサ素子100において、吸収傘が、特定波長を表面に結合させる表面プラズモンを誘起するように表面にアレイ状に配置された凹部11を有し、特定波長の入射光の吸収量を、特定波長以外の入射光の吸収量より大きくする。また、複数の半導体光素子をアレイ状に配置し、半導体光装置とする。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

温度検知部と、該温度検知部に熱的に接続された吸収傘とを含み、該吸収傘に入射した光を検出する半導体光素子であって、 該吸収傘が、特定波長を表面に結合させる表面プラズモンを誘起するように表面にアレイ状に配置された凹部を有し、該特定波長の入射光の吸収量を、該特定波長以外の入射光の吸収量より大きくしたことを特徴とする半導体光素子。

IPC (3)：

G01J 1/02 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/30

FI (4)：

G01J1/02 C ,  H01L35/32 A ,  H01L35/30 ,  G01J1/02 Q

F-Term (7)：

2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA02 ,  2G065BA34 ,  2G065BB24 ,  2G065BB25 ,  2G065BB50