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J-GLOBAL ID：201103055888648561

固体メモリ、データ処理システム及びデータ処理装置

Inventor： 相澤 一雄 ,  浅野 勇 ,  富永 淳二 ,  コロボフ アレキサンダー ,  フォンス ポール ,  シンプソン ロバート
Applicant, Patent owner： エルピーダメモリ株式会社
Agent (4)： 鷲頭 光宏 ,  緒方 和文 ,  黒瀬 泰之 ,  三谷 拓也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009140592
Publication number (International publication number)：2010287744
Application date： Jun. 11, 2009
Publication date： Dec. 24, 2010
Summary：

【課題】抵抗値のばらつきが防止された固体メモリを提供する。【解決手段】互いに組成の異なる結晶層1,2を含む複数の結晶層が積層されてなる超格子積層体SLと、超格子積層体SLの積層方向における一方の面SLaに設けられた下部電極3と、超格子積層体SLの積層方向における他方の面SLbに設けられた上部電極4とを備える。超格子積層体SLに含まれる結晶層1は相変化化合物からなる。本発明によれば、電極3,4間にこれらの対向方向に積層された超格子積層体SLが挟み込まれていることから、電極3,4を介して超格子積層体SLに電気的エネルギーを印加した場合、超格子積層体SLの積層面に対して均一な電気的エネルギーが印加される。このため、情報の書き換えを繰り返しても抵抗値のばらつきが少なく、その結果、安定したデータ読み出しを行うことが可能となる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

互いに対向する第1及び第2の電極と、 前記第1及び第2の電極に挟まれ、互いに組成の異なる第1及び第2の結晶層を含む複数の結晶層が積層されてなる超格子積層体と、を備え 前記超格子積層体の少なくとも一部は、前記第1及び第2の結晶層の積層面が前記第1及び第2の電極の対向方向と交差しており、 前記超格子積層体に含まれる前記第1の結晶層は、相変化化合物からなることを特徴とする固体メモリ。

IPC (3)：

H01L 27/10 ,  G11C 13/00 ,  H01L 45/00

FI (3)：

H01L27/10 451 ,  G11C13/00 A ,  H01L45/00 A

F-Term (15)：

5F083FZ10 ,  5F083JA05 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21 ,  5F083PR36 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA10