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J-GLOBAL ID：201103057040617332

GaAs/AlGaAs薄膜の成長方法

Inventor： 冷水 佐壽 ,  下村 哲 ,  岡本 恭典
Applicant, Patent owner： 冷水 佐壽 ,  下村 哲 ,  株式会社クボタ
Agent (2)： 北村 修一郎 ,  北村 修一郎
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：1994202007
Publication number (International publication number)：1995147235
Patent number：3027688
Application date： Aug. 26, 1994
Publication date： Jun. 06, 1995
Claim (excerpt)：

【請求項1】 表面が(411)A面となるGaAs基板(S)の(411)A面を被結晶成長面として、前記GaAs基板(S)を成長容器(1)内に配置し、この成長容器(1)を減圧後、前記GaAs基板(S)を加熱するとともに、Ga,Al,Asの単体又は化合物を供給して前記GaAs基板(S)上にエピタキシャル成長させて、前記GaAs基板(S)の(411)A面上にGaAs/Alx Ga1-x Asヘテロ薄膜を形成するGaAs/AlGaAs薄膜の成長方法であって、Alx Ga1-x As薄膜のAl混晶比を大きい値に選択するほど、加熱される前記GaAs基板(S)の基板温度の下限値を高い値に選択して、前記GaAs基板(S)を加熱するGaAs/AlGaAs薄膜の成長方法。

IPC (1)：

H01L 21/203

FI (1)：

H01L 21/203 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-146723
  
• 特開平2-015687
  
• 特開平2-015689