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J-GLOBAL ID：201103058113064619

半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor： 吉本 晋 ,  松原 秀樹 ,  赤羽 良啓 ,  齊藤 裕久
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (4)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009273607
Publication number (International publication number)：2011119349
Application date： Dec. 01, 2009
Publication date： Jun. 16, 2011
Summary：

【課題】屈折率分布層上に活性層が配置された構成を備える窒化ガリウム系の半導体レーザ素子において、再成長の際に導入された歪みによる活性層への影響を抑える。【解決手段】半導体レーザ素子1Aは、GaN基板11上に設けられ、窒化ガリウム系半導体からなり、一次元又は二次元で広がる周期的な屈折率分布を有する屈折率分布層17と、屈折率分布層17上に設けられた活性層27と、屈折率分布層17と活性層27との間に設けられたInGaNからなる歪緩和層25とを備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系半導体領域上に設けられ、窒化ガリウム系半導体からなり、一次元又は二次元で広がる周期的な屈折率分布を有する屈折率分布層と、 前記屈折率分布層上に設けられた活性層と、 前記屈折率分布層と前記活性層との間に設けられたInGaNからなる歪緩和層と を備えることを特徴とする、半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 5/12 ,  H01S 5/343

FI (2)：

H01S5/12 ,  H01S5/343 610

F-Term (9)：

5F173AB13 ,  5F173AB90 ,  5F173AF05 ,  5F173AG17 ,  5F173AG20 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AR81