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J-GLOBAL ID：201103059002566719

ベンゾキノン誘導体と電子供与体との電荷移動錯体の製造方法

Inventor： 向井 利夫 ,  山下 敬郎 ,  鈴木 孝紀
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社 ,  向井 利夫
Agent (1)： 大家 邦久
Gazette classification：特許公告
Application number (International application number)：1986298371
Publication number (International publication number)：1988150273
Application date： Dec. 15, 1986
Publication date： Jun. 22, 1988
Claim (excerpt)：

【請求項1】下記一般式(I)〔式中、及びは互いに独立したものであって、で示されるヘテロ環を示し、一方がこのヘテロ環を表わす場合には、他方はでもよいものとし、R1,R2及びR3は互に独立したものであって、H、アルキル、アリール、アリール置換アルキル、アルコキシ、ハロゲン、ニトロ、シアノまたはカルボン酸エステル基を表わす。〕で示されるベンゾキノン誘導体と電子供与性化合物との電荷移動錯体の製造方法において、VIII)一般式(I)で示される化合物と電子供与性化合物の両者が可溶性で、これら両者の反応生成物である電荷移動錯体が不溶性または難溶性の溶媒中で反応させ電荷移動錯体を沈殿させるか、IX)一般式(I)で示される化合物と電子供与性化合物、およびこれら両者の反応生成物である電荷移動錯体が可溶性の溶媒中で反応させた後、電荷移動錯体の貧溶媒を加えて電荷移動錯体を沈澱させるか、またはX)一般式(I)で示される化合物と電子供与性化合物、およびこれら両者の反応生成物である電荷移動錯体が可溶性の溶媒中で反応させ、電荷移動錯体の貧溶媒を加えるかまたは加えないで反応溶媒を留去して電荷移動錯体を沈澱させるかすることを特徴とする製造方法。

IPC (5)：

C07D 339/06 ,  C07D 339/08 ,  C07D 495/04 101 9164-4C ,  C07D 495/04 111 9164-4C ,  G03G 5/06 9221-2H