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J-GLOBAL ID：201103059193993689
半導体装置とその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：1990098108
Publication number (International publication number)：1991296222
Patent number：3179087
Application date： Apr. 13, 1990
Publication date： Dec. 26, 1991
Claim (excerpt)：
【請求項1】半導体基板上に積層されたコレクタ層、ベース層およびエミッタ層をそれぞれ所定の形状に加工してコレクタ領域、ベース領域およびエミッタ領域を形成するバイポーラトランジスタの製造方法において、前記エミッタ層のエミッタ領域となる部分以外の領域を除去して前記ベース層を露出することによりエミッタ領域を形成する工程と、前記露出したベース層上の前記エミッタ領域およびその近傍を除く全面にベース電極となる導電層を形成する工程と、前記ベース電極となる導電層の所定領域のみが露出するレジストを形成し、引き続き前記ベース電極となる導電層を給電メタルとしたメッキにより、ベース電極引出し部を形成する工程と、前記ベース電極となる導電層の所定領域及び前記ベース電極引出し部の少なくとも一部分を覆うエッチング保護膜を形成した後、前記ベース電極となる導電層をエッチングしてベース電極を形成する工程とを備え、前記ベース層を露出させない状態で前記メッキを行うことにより、前記給電メタルのための導電層を用意することがないことを特徴とするバイポーラトランジスタの製造方法。
IPC (6)：
H01L 21/331
, H01L 21/288
, H01L 21/3065
, H01L 29/205
, H01L 29/417
, H01L 29/73
H01L 29/72
, H01L 21/288 Z
, H01L 29/205
, H01L 21/302 J
, H01L 29/50 B
Cited by examiner (7)
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