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J-GLOBAL ID：201103060584947515

磁気メモリセル及び磁気メモリ

Inventor： 早川 純
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 平木 祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009297855
Publication number (International publication number)：2011138924
Application date： Dec. 28, 2009
Publication date： Jul. 14, 2011
Summary：

【課題】電気的手段により磁気情報の書込みを行う磁気メモリセル及びそれを装備した大容量多値磁気メモリを提供する。【解決手段】スピン蓄積層1上に配置した複数の磁気記録ビット31〜34と、1つの検出部によって磁気メモリセルを構成し、その磁気メモリセルを多数組み合わせて大容量磁気メモリを構成する。磁気記録ビットは、スピン蓄積層上に中間層、磁気記録層、障壁層、固定層、電極保護層を積層した構造を有し、検出部はスピン蓄積層上に中間層、固定層、電極保護層を積層した構造を有する。検出部は、各記録ビットを構成する磁気記録層の磁化方向の組合せを多値情報として電気的に検出する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

スピン蓄積層と、前記スピン蓄積層上に互いに離間して形成された複数の記録ビット及び1又は複数の検出部とを有し、 前記記録ビットは、前記スピン蓄積層上に、中間層、磁気記録層、障壁層、固定層、第1の電極保護層を順に積層した構造を有し、前記第1の電極保護層と前記スピン蓄積層の間に流す電流の向きによって前記磁気記録層の磁化方向を反転可能であり、 前記検出部は、前記スピン蓄積層上に、中間層、固定層、第2の電極保護層を順に積層した構造を有し、 前記検出部は、前記第2の電極保護層と前記スピン蓄積層の間に電流を流すことにより、前記複数の記録ビットの磁気記録層の磁化方向の組み合わせに依存するレベルの信号を出力することを特徴とする磁気メモリセル。

IPC (4)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15

FI (3)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 110

F-Term (33)：

4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC09 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD41 ,  4M119EE21 ,  4M119EE26 ,  4M119KK14 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD24 ,  5F092AD25 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB38 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB55 ,  5F092BB90 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21