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J-GLOBAL ID：201103061162996714

半導体光配線装置

Inventor： 岡本 大典 ,  藤方 潤一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010103097
Publication number (International publication number)：2011232567
Application date： Apr. 28, 2010
Publication date： Nov. 17, 2011
Summary：

【課題】コストの上昇や特性の低下を招くことなく、実装が容易な状態で、LSIのチップ間やチップ内の信号伝送を、光配線で行えるようにする。【解決手段】素子形成領域122のシリコン上にエピタキシャル成長により形成した半導体層を光吸収層として備えて素子形成領域122に形成された光素子123と、光導波領域121に形成された溝部101aと、溝部101aに充填されて形成された下部クラッド層102と、下部クラッド層102の上に形成されて光素子123に光接続するコア103と、コア103の上に形成された上部クラッド層104と、コア103よりなる光導波路の光導波方向に垂直な方向の素子形成領域122の側部の基板101上に形成されて、光素子123に電極引き出し部105を介して接続する電極パッド部106とを備える。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

シリコンからなる基板の上に設けられた光導波領域と、 この光導波領域に連結して前記基板の上に設けられた素子形成領域と、 前記素子形成領域のシリコン上にエピタキシャル成長により形成した半導体層を光吸収層として備えて前記素子形成領域に形成された光素子と、 前記光導波領域に形成された溝部と、 この溝部に充填されて形成された下部クラッド層と、 この下部クラッド層の上に形成されて前記光素子に光接続するコアと、 このコアの上に形成された上部クラッド層と、 前記コアよりなる光導波路の光導波方向に垂直な方向の前記素子形成領域の側部の前記基板上に形成されて、前記光素子に電極引き出し部を介して接続する電極パッド部と を少なくとも備え、 前記下部クラッド層は、前記コアよりなる光導波路を伝搬する光が前記基板に漏れ出さない範囲の層厚とされていることを特徴とする半導体光配線装置。

IPC (3)：

G02B 6/122 ,  H01L 31/10 ,  G02F 1/025

FI (3)：

G02B6/12 B ,  H01L31/10 A ,  G02F1/025

F-Term (37)：

2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079DA22 ,  2H079EA07 ,  2H079EB05 ,  2H079KA19 ,  2H147AB02 ,  2H147AB04 ,  2H147AB05 ,  2H147AB07 ,  2H147AB09 ,  2H147BA05 ,  2H147BG06 ,  2H147BG13 ,  2H147CA01 ,  2H147CB01 ,  2H147DA10 ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14B ,  2H147EA23A ,  2H147FA03 ,  2H147FA09 ,  2H147FA18 ,  2H147FC03 ,  5F049MA04 ,  5F049MA20 ,  5F049MB03 ,  5F049NA20 ,  5F049NB01 ,  5F049PA03 ,  5F049PA14 ,  5F049QA08 ,  5F049SS03