Pat
J-GLOBAL ID：201103061266234743
不揮発性記憶装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009159167
Publication number (International publication number)：2011014796
Application date： Jul. 03, 2009
Publication date： Jan. 20, 2011
Summary：
【課題】第1の配線と第2の配線との交差部に整流層と不揮発性記憶層を有する不揮発性記憶装置で、整流層としてPINダイオードを用いる場合に比して厚さを抑え、整流層のダイオード特性を一様に揃えることができる不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】第1の方向に延在するワード線WLと、ワード線WLとは異なる高さに形成され、第2の方向に延在するビット線BLと、ワード線WLとビット線BLとが交差する位置にワード線WLとビット線BLの間に挟持されるように配置される、抵抗変化素子10と整流素子20とを含むメモリセルMCと、を備え、整流素子20は、逆方向電極21、シリコン窒化膜22を含む絶縁膜、金属酸化物半導体からなる金属酸化膜23、および順方向電極24の積層構造を有する。【選択図】図1-2
Claim (excerpt)：
第1の方向に延在する第1の配線と、
前記第1の配線とは異なる高さに形成され、第2の方向に延在する第2の配線と、
前記第1の配線と前記第2の配線とが交差する位置に前記第1の配線と前記第2の配線の間に挟持されるように配置される、不揮発性記憶素子と整流素子とを含む不揮発性メモリセルと、
を備え、
前記整流素子は、第1の電極、シリコン窒化膜を含む絶縁膜、金属酸化物半導体からなる金属酸化膜、および第2の電極の積層構造を有することを特徴とする不揮発性記憶装置。
IPC (5)：
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
, H01L 49/02
, H01L 27/105
H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
, H01L49/02
, H01L27/10 448
5F083FZ10
, 5F083GA10
, 5F083GA11
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA60
, 5F083PR40
